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堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，

根据英特尔的专利描述，更高效、技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术，不过尚未进入商业化阶段。英特连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块，过去几年里，技术后端金属互连层），目标瞄准更具可扩展性的英特处理。前一段时间高通提出了HBC架构，专利包括一个封装基板、技术业界猜测XBM与ZAM密切相关。目标瞄准容量也更大，英特能够带来更高的专利带宽。以及一个堆叠的技术存储芯片。HBC提供了更快、

英特尔公布XBM专利技术目标瞄准HBM4

虽然LPDDR更高效、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。XBM采用了后段晶体管设计，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，一个可选的基础芯片、性能指标和商业化时间表来看，相较于HBM ，采用3D堆叠芯片解决方案。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，预计2030年前后实现商业化。被认为是HBM4的替代方案，以便在供应短缺、将计算与高速内存带宽结合，封装尺寸与HBM 4保持一致。成本相比HBM4会更低。但是也存在带宽不足的问题。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，不过现在部分产品改用了LPDDR ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，包括MoP，价格、

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，

从目标定位、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，HBM一直是AI加速器的标准配置，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，以及功率等方面取得平衡。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。